杭州临空经济示范区！杭州宽能半导体有限公司成立！注册资本10000万人民币！

杭州临空经济示范区

11月13日，杭州市市长姚高员赴杭州临空经济示范区调研越币10000。在示范区内首个百亿级项目宽能项目选址地块，姚高员要求，要加快拆迁和建设进度，抢抓发展机遇，用好平台资源，形成规模效应、集聚效应。

近日，天眼查App显示，杭州宽能半导体有限公司于2023年11月6日正式成立越币10000。法定代表人为沈奎邦，注册资本10000万人民币，经营范围含集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；集成电路芯片设计及服务；货物进出口；技术进出口；进出口代理等，注册地址为浙江省杭州市萧山区杭州空港经济区保税路西侧保税大厦173-6室。

股东信息显示该公司由南京宽能半导体有限公司全资持股越币10000。

公开信息显示，南京宽能半导体有限公司成立于2021年11月，公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家，掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术，并具备20年以上相关产品量产经验越币10000。公司首条产线落地南京，正在建设中，建成后将是国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。

宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域，为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品越币10000。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产，促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发，提供客制化工艺服务。公司同时具备沟槽型MOSFET工艺。由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。

2022年6月8日，宽能半导体获得2亿人民币的天使轮融资，投资方为和利资本、渶策资本、云启资本、毅达资本、金浦投资、君盛投资、国中资本、亚昌投资、富华投资越币10000。

半导体材料作为产业发展的基础经历了数代更迭，目前超90%的半导体产品仍是以硅为衬底制成的，但受限于材料自身物理特性，硅基功率器件难以满足新能源汽车及光伏逆变器等新兴应用对器件高功率、高频性能的需求越币10000。以碳化硅为代表的第三代半导体由于其优异的物理性能逐步受到市场关注，并成为制作大功率高频器件的理想材料。

由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势越币10000。

碳化硅为代表的第三代半导体能够在光伏发电系统中发挥重要作用，硅基逆变器成本占系统的10%，但却是系统能量损耗的主要来源，使用碳化硅 MOSFET功率模块的光伏逆变器，转换效率可提升至99%以上，能量损耗降低 50%以上，从而推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破越币10000。

根据Yole预测，到2025年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用越币10000。随着新能源汽车销量的快速提升，碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案，以取代传统硅基IGBT。

预计未来新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管，无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场越币10000。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节，对产品的良率和性能起到决定性作用。